本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶材料的電阻率、霍爾遷移率測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于溫度在20℃～700℃范圍內(nèi)的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅體單晶材料的電阻率、霍爾遷移率測(cè)量。
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