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硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法

標 準 號： GB/T 24574-2009
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
起草單位： 信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所
發(fā)布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
點 擊 數(shù)：
更新日期： 2025年03月03日
內(nèi)容摘要

本標準規(guī)定了硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法。
本標準適用于低位錯單晶硅中導(dǎo)電性雜質(zhì)硼和磷含量的同時測定。
本標準用于檢測單晶硅中含量為1×1011at·cm-3~5×1015at·cm-3的各種電活性雜質(zhì)元素。?

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