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金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）等效電容和電壓變化率測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： SJ/T 11824-2022
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位： 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 等
發(fā)布日期： 2022-09-30
實(shí)施日期： 2023-01-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2025年01月14日
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內(nèi)容摘要

本文件適用于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

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