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半導(dǎo)體器件 集成電路 第21部分:膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范(采用鑒定批準(zhǔn)程序)

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): GB/T 11498-2018
替代情況: 替代 GB/T 11498-1989
發(fā)布單位: 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院
發(fā)布日期: 2018-12-28
實(shí)施日期: 2019-07-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2019年02月21日
內(nèi)容摘要

《半導(dǎo)體器件 集成電路》的本部分適用于作為目錄內(nèi)電路或定制電路而制造的、其質(zhì)量是以鑒定批準(zhǔn)為基礎(chǔ)評(píng)定的膜集成電路和混合膜集成電路。
本部分的目的是為額定值和特性提供優(yōu)先值,從總規(guī)范中選擇合適的試驗(yàn)和測(cè)量方法,并且給出根據(jù)本部分制定的膜集成電路和混合膜集成電路詳細(xì)規(guī)范使用的通用性能要求。
優(yōu)先值的概念直接應(yīng)用于目錄內(nèi)電路,但是不必應(yīng)用于定制電路。
參照本部分制定的詳細(xì)規(guī)范所規(guī)定的試驗(yàn)嚴(yán)酷等級(jí)和要求可等于或高于分規(guī)范的性能水平,不準(zhǔn)許有更低的性能水平。
同本部分相聯(lián)系的有一個(gè)或多個(gè)空白詳細(xì)規(guī)范,每個(gè)空白詳細(xì)規(guī)范均給以編號(hào)。按照2.3規(guī)定填寫(xiě)空白詳細(xì)規(guī)范,即構(gòu)成一個(gè)詳細(xì)規(guī)范。按IECQ體系的規(guī)定,該類(lèi)詳細(xì)規(guī)范可用于膜集成電路和混合膜集成電路鑒定批準(zhǔn)的授與和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)。

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